什么二极管压降大

二极管在正向导通时，其两端会有一定的电压降，不同类型的二极管其正向压降不一样，一般在0.5V~0.7V范围内。

硅二极管

压降范围：0.6V~0.7V。

特点：硅二极管是最常见的二极管类型，适用于大多数普通整流和开关电路。

锗二极管

压降范围：0.2V~0.3V。

特点：锗二极管的正向压降较低，适用于低电压和低功率应用，但由于热稳定性较差，逐渐被硅二极管取代。

肖特基二极管 （Schottky Diode）

压降范围：0.2V~0.4V。

特点：肖特基二极管具有极低的压降和极短的反向恢复时间，适合高速整流和开关电源等应用，但耐压范围较低。

快恢复二极管 （Fast Recovery Diode）

压降范围：0.8V~1.2V。

特点：快恢复二极管具有较快的开关速度和适中的压降，适用于高频整流电路和开关电源。

超快恢复二极管 （Ultra-Fast Recovery Diode）

压降范围：0.8V~1.2V。

特点：超快恢复二极管的反向恢复时间非常短，适用于需要快速恢复的应用。

齐纳二极管 （Zener Diode）

压降范围：0.6V~0.7V。

特点：齐纳二极管与普通PN结二极管类似，适用于需要稳定电压的应用。

发光二极管 （LED）

压降范围：通常在2V左右，某些特殊类型可达到3V。

特点：LED的核心部分是一个PN结，其导通压降较大，适用于指示和照明应用。

建议

如果需要较大的压降：可以考虑使用硅二极管或发光二极管（LED），因为它们的压降范围较大，能满足大多数降压需求。