电磁炉的IGBT是 绝缘栅双极型场效应晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）。它是一种大功率的电力电子器件，具有高输入阻抗、低导通压降、高驱动功率小和开关速度快的优点。IGBT综合了BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）的优点，既有GTR的低导通压降，又有MOSFET的高输入阻抗。
电磁炉的IGBT管通常安装在电磁炉内部的电路板金属散热片上，具有三只脚，分别是控制极（左脚）、集电极（中间脚）和发射极（右脚）。与普通场效应管不同的是，电磁炉专用的IGBT管内部还带有阻尼二极管，用于保护电路和提高工作效率。
在选择电磁炉的IGBT管时，需要注意其耐压值和电流值是否满足电磁炉的工作要求。如果需要替换原有IGBT管，应选择耐压值和电流值大于等于原有管的型号，以确保电磁炉的正常运行和安全。
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